晶圆减薄决定了晶圆的厚度。经过前端工艺后通过晶圆测试的晶圆将干涉后端工艺,后端工艺从晶圆后头研磨初始。晶圆后头研磨是将晶圆后头磨薄的身手。晶圆后头研磨或晶圆减薄工艺是半导体制造中的关节身手ayx爱游戏官方网站,因为它不错减小晶圆的厚度,从而改善最终器件的性能和外形尺寸。

一般晶圆制造之后的厚度如表1所示,为了收缩封装体积,必须对这种较厚的晶圆进行减薄处分。

表1 晶圆尺寸

晶圆减薄关于芯片来说还有以下平正:

1)散热后果将显贵晋升。跟着芯片结构越来越复杂,集成度越来越高,晶体管数目急剧加多,散热逐步成为影响芯片性能和寿命的关节要素。芯片越薄,对散热越成心。

2)收缩芯片封装尺寸,微电子家具日益向轻、薄、小场地发展,因此厚度的减小也使芯片封装尺寸相应减小。

3)裁减芯片内应力。芯片厚度越厚,由于芯片责任流程中产生的热量,在芯片后头会产生内应力。芯片发烧量增大,材料各层之间的热差增大,使芯片内应力增大,内应力过大导致芯片开裂。

4)提高电气性能。晶圆厚度越薄,接地平面与后头镀金越接近,器件的高频性能越好。固然硅衬底越薄,硅衬底部分的电阻就越小,从而器件导通景色下总的导通电阻就越低,这么一来器件自己的电压降与功率损耗就越小。

5)利于划片ayx爱游戏官方网站。




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